Nvidia solicita uso de processo de 3nm da TSMC para memórias NVHBM

Pontos principais

• Fontes do setor dizem que a Nvidia co-projeta a base die da NVHBM com Samsung e TSMC.
• A base die passa a integrar o controlador de memória que antes ficava na GPU, liberando espaço para mais circuitos de computação.
• A NVHBM amplia a largura de banda em até 30% e reduz o consumo em 15% frente à HBM4E, de sétima geração.
• Para caber o controlador, a camada física foi reduzida em 60% em relação à HBM padrão.
• A Nvidia exige o processo lógico de 3 nm da TSMC para a base die; o rendimento estimado pelo setor é acima de 90%, contra cerca de 60% do SF2 (2 nm) da Samsung Foundry.
• A UBS projeta demanda de HBM de 61,5 bilhões de gigabits no ano que vem, alta de 91%, contra oferta de 54,6 bilhões, déficit de cerca de 10%.
• A Samsung tem linhas de base die de 4 nm só na linha 17 de Hwaseong e em parte da P3 de Pyeongtaek; com as linhas atuais, é difícil absorver volumes como o da NVHBM.
• Na teleconferência do terceiro trimestre, a TSMC disse que terá duas novas linhas de 3 nm no Fab 18, em Tainan, com produção em massa no primeiro semestre do ano que vem e no primeiro semestre do ano seguinte.
• A TSMC também planeja linhas de 3 nm na segunda fábrica no Arizona, com produção no terceiro trimestre do ano que vem, e na segunda fábrica em Kumamoto, no Japão, em 2028.
• A Samsung se prepara para produzir a base die na própria fundição, com validação no processo de 2 nm.
• Uma fonte do setor afirma que a alocação de volume na TSMC pode chegar a um teto, já que as linhas de 3 nm também atendem computação de alto desempenho e smartphones.