Fornecedores de memória reavaliam tecnologia HBM e empilhamento
Fabricantes de HBM ajustam prioridades técnicas diante de desafios no empilhamento de 16 camadas e buscam novas soluções de fabricação.
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08/10 às 15:40
Pontos principais
- SK Hynix admite dificuldades técnicas na produção de memórias HBM com 16 camadas.
- O mercado de HBM passou a priorizar a largura de banda em vez da capacidade total.
- A viabilidade do bonding híbrido die-to-wafer para HBM está sendo questionada.
- Samsung desenvolve processo DRAM sub-10nm com bonding híbrido wafer-to-wafer.
Fornecedores de memória HBM estão revisando suas estratégias técnicas após a SK Hynix reconhecer dificuldades na implementação do empilhamento de 16 camadas. O setor agora prioriza a largura de banda em detrimento da capacidade total, levantando questionamentos sobre a viabilidade do processo de bonding híbrido die-to-wafer.
Em paralelo, a Samsung trabalha no desenvolvimento do nó DRAM D0a, com litografia abaixo de 10nm. A empresa utiliza um processo de bonding híbrido wafer-to-wafer, cuja comercialização está prevista para ocorrer em um prazo de aproximadamente dois anos.
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