Samsung e TSMC adotarão máquinas High NA EUV da ASML até 2030

As gigantes de semicondutores Samsung e TSMC firmaram, em anúncios separados feitos em 7 e 8 de setembro, planos para adotar as máquinas de litografia ultravioleta extrema de alta abertura numérica (High NA EUV) da ASML. A TSMC prevê usar a tecnologia em manufatura de alto volume de nós avançados a partir de 2030, à medida que a complexidade das arquiteturas de transistores para aplicações de inteligência artificial aumenta o número de camadas que exigem o processo. A Samsung, por sua vez, planeja introduzir o High NA EUV na fabricação de memórias DRAM em alto volume até 2028, a primeira aplicação do tipo no setor de memórias, com expectativa de estender o roadmap de escalonamento da DRAM por meio de maior resolução e simplificação do processo.

Em 7 de setembro, véspera da conferência SPIE Bacus, em Monterey, na Califórnia, ASML e TSMC lançaram uma iniciativa setorial para migrar o padrão de fotomáscaras da litografia High NA EUV de 6 para 12 polegadas; a Samsung aderiu à iniciativa no dia seguinte. Segundo a ASML, a mudança deve aumentar a produtividade das fábricas, reduzir custos de fabricação e eliminar restrições de emenda (stitching) impostas pelo formato atual, embora a empresa não tenha divulgado valores. A meta é ter uma linha-piloto de fotomáscaras de 12 polegadas pronta até 2031, com sistemas litográficos de 12 polegadas entrando em produção de nós avançados até 2033. A ASML afirmou que outros fabricantes de chips e fornecedores de fotomáscaras manifestaram interesse em aderir à iniciativa, sem identificar quais.