Samsung apresenta nova memória zHBM para acelerar sistemas de IA
A Samsung revelou tecnologias de memória que prometem aumentar em oito vezes a velocidade de processamento em aplicações de inteligência artificial.
Pontos principais
- A tecnologia zHBM utiliza empilhamento vertical sobre o processador para reduzir a latência.
- O desempenho do zHBM supera em oito vezes a futura memória HBM5, com maior eficiência térmica.
- O zNAND-O foi introduzido como solução de armazenamento de alto desempenho para Edge AI.
- A nova memória V10 BV-NAND utiliza união de wafers para ultrapassar 400 camadas de flash.
Durante o evento Future of Memory and Storage 2026, a Samsung apresentou inovações em hardware voltadas para o setor de inteligência artificial. O destaque foi a tecnologia zHBM, que emprega empilhamento vertical diretamente sobre o processador para otimizar a latência e elevar o desempenho em até oito vezes em comparação com a futura geração HBM5. Além do ganho de velocidade, a empresa focou em eficiência térmica, um fator crítico para a sustentabilidade de data centers modernos. Complementando os anúncios, a Samsung revelou o zNAND-O para aplicações de Edge AI e a décima geração de memórias V10 BV-NAND, que utiliza técnicas avançadas de união de wafers para superar a marca de 400 camadas. Embora o V10 tenha previsão de chegada ao mercado em breve, as tecnologias zHBM e zNAND-O ainda não possuem datas de lançamento definidas.
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