Avanço em microVCSELs promete maior densidade para sensores e IA
Transição para designs de emissão inferior e embalagem flip-chip visa otimizar a eficiência térmica e a densidade de interconexões em sistemas.
Pontos principais
- MicroVCSELs de emissão superior enfrentam limitações de calor e resistência.
- Designs de emissão inferior viabilizam a tecnologia flip-chip para melhor dissipação.
- A mudança exige comprimentos de onda de 940 nm ou 1060 nm para evitar absorção do substrato.
- A nova arquitetura é voltada para ampliar a densidade em aplicações de LiDAR e sensores 3D.
A transição de microVCSELs de emissão superior para designs de emissão inferior representa uma mudança técnica para superar gargalos de resistência e calor. Enquanto os modelos de emissão superior utilizam contatos em anel que limitam o desempenho, a arquitetura de emissão inferior permite a adoção de embalagens flip-chip, otimizando a dissipação térmica e a densidade de interconexões.
Para viabilizar essa mudança, a indústria deve utilizar comprimentos de onda de 940 nm ou 1060 nm, contornando a absorção do substrato de GaAs. Essa evolução tecnológica é apontada como uma solução para aumentar a densidade de arrays em sistemas de sensores 3D e aplicações de LiDAR.
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