Infineon e Nvidia desenvolvem tecnologia GaN para data centers
Empresas firmam parceria para criar conversores de energia de alta voltagem visando maior eficiência em infraestruturas de IA.
Pontos principais
- A colaboração foca no desenvolvimento de conversores de barramento intermediário de 800 VDC.
- A tecnologia de nitreto de gálio permite frequências de comutação de até 1MHz.
- O objetivo é aumentar a densidade de potência e reduzir perdas em servidores de IA.
- A Infineon integra dispositivos GaN com controladores PSoC e drivers EiceDRIVER.
A Infineon e a Nvidia anunciaram uma parceria estratégica para desenvolver tecnologia de conversão de energia baseada em nitreto de gálio (GaN), voltada especificamente para arquiteturas de data centers de 800 VDC. A colaboração busca otimizar a alimentação de placas aceleradoras de IA, utilizando conversores de barramento intermediário que permitem frequências de comutação de até 1MHz. Essa inovação visa aumentar significativamente a densidade de potência e reduzir as perdas de distribuição energética nos racks de servidores.
O acordo amplia uma cooperação iniciada em maio de 2025, integrando os dispositivos GaN da Infineon com as famílias de produtos PSoC Control C3 e EiceDRIVER. Com essa solução completa, as empresas pretendem atender à crescente demanda por infraestruturas de energia mais eficientes para o processamento de dados em larga escala. A iniciativa complementa outros esforços recentes da Infineon no setor, incluindo parcerias com a Skeleton Technologies e a LS Electric.