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Elon Musk confirma uso de laser de elétrons livres na Terafab

A nova fábrica de chips de Musk no Texas utilizará tecnologia de acelerador de partículas para gerar luz EUV, desafiando o monopólio da ASML.

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Foto: officechai.com
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09/08 às 01:40

Pontos principais

  • Elon Musk confirmou via X o uso de tecnologia de Free Electron Laser (FEL) na Terafab, megafábrica em construção no Texas.
  • O sistema utiliza um acelerador de partículas para gerar luz EUV, substituindo o método atual de plasma de estanho da ASML.
  • A tecnologia promete maior eficiência energética, ausência de resíduos de estanho e capacidade de alimentar múltiplas baias de litografia.
  • A Terafab é uma joint venture entre SpaceX, Tesla, xAI e Intel, com investimento inicial de US$ 16,8 bilhões na primeira fase.
  • O projeto visa a produção de chips de 2nm com meta de 1 terawatt de capacidade de computação anual para IA.
  • A tecnologia FEL ainda é experimental; startups como a xLight buscam comercializá-la, mas nenhuma solução está pronta para produção.
  • A ASML detém atualmente o monopólio global de máquinas de litografia EUV, essenciais para a fabricação de processadores avançados.

Elon Musk confirmou que a Terafab, complexo de semicondutores em construção em Grimes County, Texas, integrará um acelerador de partículas para gerar luz ultravioleta extrema (EUV) por meio de um laser de elétrons livres (FEL). A confirmação ocorreu após especulações sobre imagens da infraestrutura da fábrica, que sugeriam a presença de um síncrotron. A adoção dessa tecnologia representa uma tentativa de superar o gargalo atual da indústria, que depende exclusivamente das máquinas da ASML, as quais utilizam lasers de CO2 para vaporizar gotas de estanho em plasma, um processo custoso e ineficiente.

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