Ex-pesquisador da Samsung condenado a 7 anos por vazar tecnologia de DRAM para empresa chinesa
Tecnologia de DRAM de 18nm custou cerca de US$1,1bi para desenvolver e foi repassada à ChangXin Memory Technologies.
Pontos principais
- Tribunal sul-coreano condenou pesquisador a sete anos de prisão
- Tecnologia de DRAM de 18nm vazada para a ChangXin Memory Technologies (CXMT)
- Desenvolvimento custou 1,6 trilhão de won (cerca de US$1,1bi)
- Pesquisador recebeu 2,9 bilhões de won (~US$2mi) da CXMT ao longo de seis anos
- Caso envolveu 10 indiciados e ajudou desenvolvimento de HBM na China
Um tribunal sul-coreano condenou um ex-pesquisador da Samsung a sete anos de prisão por vazar tecnologia de DRAM de 18 nanômetros, desenvolvida a um custo de cerca de US$1,1 bilhão, para a ChangXin Memory Technologies, fabricante chinesa de chips de memória.
O pesquisador, identificado como Sr. Jeon, de 56 anos, recebeu 2,9 bilhões de won (~US$2 milhões) da CXMT ao longo de seis anos. Ele foi um dos 10 indiciados no ano passado sob suspeita de vazamento de tecnologia de fabricação de chips de memória. Autoridades disseram que o caso ajudou a pavimentar o caminho para o desenvolvimento de memória de alta largura de banda (HBM) na China.
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