SK Hynix usará processo de 3 nm da TSMC na HBM4E, dobrando eficiência energética
Próxima geração da memória empilhada para aceleradores de IA terá produção em massa em 2027; Samsung saiu na frente com HBM4 em fevereiro.
Pontos principais
- SK Hynix aplicará processo de 3 nm da TSMC na base da HBM4E
- Eficiência energética dobra em relação às versões anteriores
- Produção em massa prevista para 2027
- Samsung iniciou entregas de HBM4 em fevereiro, à frente da SK Hynix
- SK Hynix completou certificação de qualidade da HBM4 e prevê embarques no 2º semestre
A SK Hynix, segunda maior fabricante de memória do mundo, vai usar o processo de 3 nanômetros da TSMC na base da HBM4E, próxima geração da memória empilhada que abastece os aceleradores de IA da Nvidia. Segundo a TSMC, a base de 3 nm dobra a eficiência energética em relação às versões anteriores. A produção em massa está prevista para 2027.
Na geração atual (HBM4), a Samsung saiu na frente ao iniciar as entregas em fevereiro. A SK Hynix completou a certificação de qualidade e prevê embarques no segundo semestre de 2026. Um desafio logístico é a distância entre Coreia do Sul e Taiwan, que exige três dias só para transferência de amostras.
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