Samsung fará base dies de HBM no Texas, com AMD entre os clientes-chave
Segundo o Maeil Business Newspaper, a Samsung decidiu produzir base dies de HBM na segunda fábrica em Taylor, Texas (EUA), para clientes-chave como a AMD, com operação prevista para 2030.
Pontos principais
- A Samsung não quis comentar, segundo a Reuters.
- A construção deve começar formalmente neste mês.
- A fábrica terá cerca de 2,7 milhões de pés quadrados, cerca de 1,5 vez a primeira fábrica de Taylor.
- A instalação de equipamentos está prevista a partir de fevereiro de 2029, e a produção em massa para 2030.
- Observadores do setor citados pelo Maeil veem a Broadcom como possível cliente adicional.
- Segundo o Maeil, a Samsung já fornece HBM4 para a Nvidia Vera Rubin, com base die de processo de 4 nm.
- Segundo o Maeil, o NVHBM pode aumentar a largura de banda de memória em 30% e reduzir o consumo do HBM em 15%.
Segundo o Maeil, os base dies de HBM, o chip lógico na base da pilha de memória, seriam fabricados na segunda fábrica da Samsung em Taylor, no Texas, nos Estados Unidos. Eles seriam combinados a núcleos de DRAM feitos na Coreia do Sul, e o HBM completo seria encapsulado com XPUs da AMD e de outros clientes, feitos pela TSMC na fábrica dos EUA.
A Nvidia não é apontada como cliente da fábrica de Taylor. O risco para a Samsung está no NVHBM, padrão que a Nvidia promove e que deve chegar com o HBM4E, no mais cedo em 2027. Há um plano em curso para a TSMC fabricar todos os base dies desse padrão, e, segundo o Maeil, a Samsung perderia a vantagem sobre a SK hynix e a Micron, que já usam base dies da TSMC no HBM4.