Samsung e SK hynix disputam soluções para o gargalo de memória em IA
No Hot Chips 2026, a Samsung apresentou HBM customizada por cliente e a SK hynix, hybrid bonding que amplia o core die em 24%.
Pontos principais
- O Hot Chips 2026 foi realizado de 23 a 25 de agosto na Universidade Stanford
- Han Sang-wook, da Samsung, apresentou o custom HBM (cHBM), que adapta o base die à GPU ou NPU de cada cliente
- Lee Jae-sik, da SK hynix America, disse que o hybrid bonding estreita os circuitos de TSV e amplia o core die em 24%
- A SK hynix ainda não sabe se aplicará a técnica à HBM4E, a sétima geração
- A empresa investe cerca de 19 trilhões de wons na P&T7, fábrica de empacotamento avançado em Cheongju
- A SK hynix publicou na Nature Electronics um roteiro de co-packaged optics (CPO), que integra transceptores ópticos e processadores
- O evento abriu com tutorial sobre memória; no ano passado, o tema de abertura foi racks de data center
As duas empresas lideram o mercado global de HBM — memória de alta largura de banda usada em chips de IA — e chegaram ao evento com apostas diferentes. O cHBM da Samsung reforça apenas as funções de que cada cliente precisa, como velocidade ou eficiência energética, adaptando a parte inferior da pilha à GPU ou NPU da Nvidia, da AMD ou de quem encomendar. A SK hynix ataca o mesmo limite pelo empacotamento: o core die responde pela maior parte de uma HBM, e ampliá-lo em 24% aumenta a capacidade sem mudar o restante da pilha.
A SK hynix também constrói uma base de produção e P&D de empacotamento de HBM em Indiana, nos Estados Unidos. A troca do tema de abertura do Hot Chips — de racks de data center para memória — sinaliza que o centro de gravidade da corrida por infraestrutura de IA migrou para o alívio dos gargalos que abastecem os chips de dados.
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