Samsung revela memórias V10 BV-NAND e zHBM para acelerar IA

A Samsung apresentou inovações em sua linha de memórias voltadas para o mercado de inteligência artificial, visando atender à demanda crescente de data centers por maior capacidade e menor latência. O destaque é a arquitetura V10 BV-NAND, que ultrapassa a marca de 400 camadas empilhadas, proporcionando um aumento de 58% na densidade de armazenamento. Paralelamente, a companhia revelou o conceito zHBM, que utiliza o empilhamento vertical de chips sobre aceleradores de IA, prometendo um desempenho oito vezes superior ao da HBM5 e uma eficiência energética três vezes maior. Além dessas tecnologias, a Samsung introduziu soluções como a zNAND-O, otimizada para Edge AI, e a LPDDR5X-PIM, que integra processamento diretamente na memória. Essas inovações buscam mitigar os gargalos de transferência de dados que atualmente limitam o escalonamento de sistemas complexos de machine learning.