IQE e Tower Semiconductor firmam acordo plurianual de epiwafers InP para data centers de IA
Componentes vão alimentar transceptores plugáveis a 200 Gb/s e moduladores de próxima geração a 400 Gb/s por canal; disputa de patentes encerrada.
Pontos principais
- Acordo plurianual para fornecimento de epiwafers de fosfeto de índio (InP) para conectividade óptica
- Compromisso mínimo de compra pela Tower no primeiro ano, com volumes mínimos depois
- Transceptores plugáveis a 200 Gb/s por canal
- Moduladores de próxima geração a 400 Gb/s por canal
- Chaves ópticas para data centers
- Tower concede à IQE licença mundial e livre de royalties sobre patentes de silício poroso
A britânica IQE e a israelense Tower Semiconductor firmaram acordo de fornecimento de epiwafers (lâminas finas usadas como base para componentes ópticos) de fosfeto de índio (InP) para conectividade óptica em data centers de IA. Os componentes vão alimentar as plataformas de fotônica de silício da Tower, incluindo transceptores plugáveis a 200 Gb/s por canal e moduladores de próxima geração a 400 Gb/s por canal, além de chaves ópticas para data centers.
Em acordo separado, a Tower concedeu à IQE licença mundial e livre de royalties sobre patentes de silício poroso, encerrando uma disputa de propriedade intelectual entre as duas.
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