Rendimentos do novo processo D1d de DRAM ficaram abaixo do esperado, comprometendo a próxima geração de memória de alta performance.
A Samsung adiou indefinidamente a produção da HBM5E depois que os rendimentos do novo processo D1d de DRAM (7ª geração do processo de 10nm) ficaram abaixo do esperado. O nó D1d é crítico para a HBM5E, enquanto as famílias HBM atuais (HBM4, HBM4E, HBM5) usam o processo mais antigo 1c.
A empresa está reexaminando seu roadmap de processos e redirecionando recursos para melhoria de rendimento em vez de iniciar rodadas de teste. O atraso pode deslocar participação de mercado para concorrentes como a SK Hynix que atingirem prontidão de produção antes.
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