Samsung adia produção da HBM5E indefinidamente por problemas de rendimento
Rendimentos do novo processo D1d de DRAM ficaram abaixo do esperado, comprometendo a próxima geração de memória de alta performance.
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22/04 às 09:00
Pontos principais
- Produção em massa da HBM5E adiada indefinidamente
- Rendimentos do processo D1d de DRAM ficaram abaixo das metas internas
- D1d é o nó crítico para a HBM5E (9ª geração de HBM)
- Samsung redireciona recursos para melhoria de rendimento
- Atraso pode beneficiar SK Hynix no mercado de HBM
A Samsung adiou indefinidamente a produção da HBM5E depois que os rendimentos do novo processo D1d de DRAM (7ª geração do processo de 10nm) ficaram abaixo do esperado. O nó D1d é crítico para a HBM5E, enquanto as famílias HBM atuais (HBM4, HBM4E, HBM5) usam o processo mais antigo 1c.
A empresa está reexaminando seu roadmap de processos e redirecionando recursos para melhoria de rendimento em vez de iniciar rodadas de teste. O atraso pode deslocar participação de mercado para concorrentes como a SK Hynix que atingirem prontidão de produção antes.
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