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title: "SK Hynix usará processo de 3 nm da TSMC na HBM4E, dobrando eficiência energética"
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published: 2026-04-19T12:00:00+00:00
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language: pt-BR
publisher: "Daily Journal"
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# SK Hynix usará processo de 3 nm da TSMC na HBM4E, dobrando eficiência energética

Próxima geração da memória empilhada para aceleradores de IA terá produção em massa em 2027; Samsung saiu na frente com HBM4 em fevereiro.

## Pontos principais

- SK Hynix aplicará processo de 3 nm da TSMC na base da HBM4E
- Eficiência energética dobra em relação às versões anteriores
- Produção em massa prevista para 2027
- Samsung iniciou entregas de HBM4 em fevereiro, à frente da SK Hynix
- SK Hynix completou certificação de qualidade da HBM4 e prevê embarques no 2º semestre

A SK Hynix, segunda maior fabricante de memória do mundo, vai usar o processo de 3 nanômetros da TSMC na base da HBM4E, próxima geração da memória empilhada que abastece os aceleradores de IA da Nvidia. Segundo a TSMC, a base de 3 nm dobra a eficiência energética em relação às versões anteriores. A produção em massa está prevista para 2027.

Na geração atual (HBM4), a Samsung saiu na frente ao iniciar as entregas em fevereiro. A SK Hynix completou a certificação de qualidade e prevê embarques no segundo semestre de 2026. Um desafio logístico é a distância entre Coreia do Sul e Taiwan, que exige três dias só para transferência de amostras.

## Fontes

- [SK Hynix firma parceria com TSMC para HBM4E usando processo de 3 nm](https://en.sedaily.com/technology/2026/04/18/sk-hynix-teams-up-with-tsmc-on-hbm4e-betting-on-3nm-process) (2026-04-19)

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